原理
（XRF）儀器由激發(fā)源（X射線(xiàn)管）和探測系統構成。X射線(xiàn)管產(chǎn)生入射X 射線(xiàn)（一次射線(xiàn)），激勵被測樣品。樣品中的每一種元素會(huì )放射出的二次X射線(xiàn)，并且不同的元素所放出的二次射線(xiàn)具有特定的能量特性。探測系統測量這些放射出來(lái)的二次射線(xiàn)的能量及數量。然后，儀器軟件將控測系統所收集的信息轉換成樣品中的各種元素的種類(lèi)及含量。利用X射線(xiàn)熒光原理，理論上可以測量元素周期表中的每一種元素。在實(shí)際應用中，有效的元素測量范圍為11號元素（鈉Na）到92號元素（鈾U）。
XRF的篩選
X射線(xiàn)熒光光譜儀是*的RoHS篩選檢測儀器，由于其檢測速度快、分辨率高、實(shí)施無(wú)損檢測，所以被廣泛采用。X線(xiàn)熒光光譜儀品牌繁多，以至于分不出誰(shuí)好誰(shuí)差了。在《電子信息產(chǎn)品有毒有害物質(zhì)的檢測方法》IEC62321標準文本里提到：“用能量散射X射線(xiàn)熒光光譜法（ED－XRF）或波長(cháng)散射X射線(xiàn)熒光光譜法（WD－XRF）對試樣中目標物進(jìn)行測試，可以是直接測量樣品（不破壞樣品），也可以是破壞樣品使其達到”均勻材料”（機械破壞試樣）后測試。”能真正準確無(wú)誤地將試樣篩選出合格、不合格、不確定三種類(lèi)型，而且能zui大限度地縮小“不確定”部分就是好儀器。在保證既定準確度的情況下盡可能快速檢測。尤其是企業(yè)選購，光譜儀是做日常RoHS監督檢測用，非?？粗剡@一點(diǎn)。所以，能夠準確無(wú)誤地將試樣篩選出合格、不合格、不確定三種類(lèi)型，又能zui大限度地縮小“不確定”部分，而且全部過(guò)程是在極短的時(shí)間內完成的X射線(xiàn)熒光光譜儀是滿(mǎn)足使用要求的光譜儀。
性能
性能無(wú)疑是評估光譜儀非常重要的指針性能優(yōu)異的光譜儀做篩選檢測能準確無(wú)誤地排查合格和不合格，并將不確定的灰色部分壓縮到zui??；
有的光譜儀鉛砷不分、鎘的特征譜線(xiàn)與X光管銠電極的特征譜線(xiàn)重迭等。經(jīng)常誤判；
有的光譜儀檢測鎘的靈敏度不夠高，不能準確判定鎘；
大部分光譜儀的檢測穩定性受到X光管老化、環(huán)境溫度、電源波動(dòng)等影響，使數值不準。
由于性能不足，可能發(fā)生錯判、誤判、無(wú)法判定等事件頻發(fā)，不確定的灰色部分比例大增。其后果必然是成本顯著(zhù)提高、風(fēng)險增加。
關(guān)鍵性能參數
1） X光管的電極材料
目前X線(xiàn)熒光光譜儀基本上采用銠靶X光管，有鎢靶X光管的。
A．銠（Rh）靶：銠的特征譜線(xiàn)與鎘的特征譜線(xiàn)重迭；測試需要濾波器。
B．鎢（W）靶：鎢的特征譜線(xiàn)與鉛，汞的特征光譜重迭，但發(fā)射強度高。
2）檢測器
A．SDD：
新型的SDD檢測器屬高純硅檢測器，分辨率可跟Si-Li檢測器差不多，并且不需要液氮制冷，但穩定性不夠好。是在高純n型硅片的射線(xiàn)入射面制備一大面積均勻的pn突變結，在另外一面的中央制備一個(gè)點(diǎn)狀的n型陽(yáng)極，在陽(yáng)極的周?chē)窃S多同心的p型漂移電極。在工作時(shí)，器件兩面的pn結加上反向電壓，從而在器件體內產(chǎn)生一個(gè)勢阱（對電子）。在漂移電極上加一個(gè)電位差會(huì )在器件內產(chǎn)生一橫向電場(chǎng)，它將使勢阱彎曲從而迫使入射輻射產(chǎn)生的信號電子在電場(chǎng)作用下先向陽(yáng)極漂移，到達陽(yáng)極（讀出電極）附近才產(chǎn)生信號。硅漂移探測器的陽(yáng)極很小因而電容很小，同時(shí)它的漏電流也很小，所以用電荷靈敏前置放大器可低噪聲、快速地讀出電子信號。是Si-PIN檢測器的換代產(chǎn)品。
B．SSD：
SSD檢測器屬硅鋰檢測器，分辨率及檢測靈敏度高。穩定性好，但是需要液氮冷卻。硅（鋰）[ Si（Li）]探測器，也叫硅鋰漂移探測器。是在P型硅表面蒸發(fā)一層金屬鋰并擴散形成PN結，然后在反向電壓和適當溫度下使鋰離子在硅原子之間漂移入硅中，由于鋰離子很容易吸引一個(gè)自由電子而成名，從而與硅中的P型（受主）雜質(zhì)實(shí)現補償而形成高阻的本征層（探測器的靈敏區）。硅（鋰）探測器的特點(diǎn)是靈敏層厚度可以做得相當大（3-10毫米），因而探測器電容也比較小，探測效率高，但是必須在液氮冷卻下保存（因為在室溫下鋰離子的遷移能力已經(jīng)不能忽略了，而鋰離子的遷移會(huì )破壞在制備硅（鋰）探測器時(shí)達到的精密補償。這是硅（鋰）探測器保存時(shí)候也需要在液氮溫度的根本原因。當然還有其它原因）和工作。
C．Si-PIN：
老的PIN探測器分辨率差，穩定性差，并且對測試重金屬的靈敏度不夠高。PIN探測器是具有PIN結構的（其中間層實(shí)際上是高阻的全耗盡層，其載流子很少，與本征層和絕緣體層有類(lèi)似之處）用于探測光和射線(xiàn)的探測器件。硅PIN探測器室溫下的漏電流在納安（nA）數量級，比其上一代的硅面壘探測器要小差不多3個(gè)數量級，是硅面壘探測器的換代產(chǎn)品，但是PIN探測器的電容仍然和面壘探測器一樣，隨探測器面積的增大而正比增大，這導致探測器噪聲還是偏大，同時(shí)成形時(shí)間常數不能太小因而計數率不能高。這就是PIN探測器不僅在技術(shù)上而且在性能上也要比硅漂移探測器差整整一代的原因。
